[ Pobierz całość w formacie PDF ]
.��INDEKS.AC.45.DC.20, 35, 136.END.3, 5, 22.ENDS.68.FOUR.94.IC.72.INC.67.LIB.92.MC.41.MODEL.21, 42, 111.NODESET.27.NOISE.65.OP.19.OPTIONS.24, 85, 130, 135, 166.PLOT.55.PRINT.52.PROBE.22, 35, 56, 65.SENS.36.SUBCKT.68.TEMP.135.TF.33.TRAN.72, 98.WIDTH.5Algorytm Newton-a Raphson-a.23, 25, 31, 180, 182, 183, 191Amplituda prawdopodobieństwa.103Analiza Monte Carlo.40, 41Analiza stałoprądowa.19Analiza szumów.53Analiza zmiennoprądowa.45Analiza zniekształceń nieliniowych.94AREA.96Atraktor.102Lorentz-a.102Błąd obcięcia.71Cewkadeklaracja.7model.115Cewki sprzężonedeklaracja.7, 117model.117model materiału rdzenia.118Charakterystyki statyczne.20Czynnik urojony.103 224 IndeksDioda półprzewodnikowa.24deklaracja.127model.129model małosygnałowy.137model szumowy.137parametry.130pojemności.131, 136przełączanie.132wpływ temperatury.134Dobroć generatora.61Domena magnetyczna.118Efekt tranzystorowy.139EXP.75Generator Collpits-a.58Gęstość mocy szumówna wyjściu.63zredukowana do wejścia.63Granica linearyzacji pojemności złączowej.131Histereza magnetyczna.118IC.7, 80, 89Impedancja falowa.80Klucz.116sterowany napięciem.77sterowany prądem.77Komentarz.3, 5Kondensatordeklaracja.7model.114Kontaktowa różnica potencjałów.176Laser.110Linia długa.8, 79Linia kontynuacji.49Makromodel.138Maser.110Metoda parametryzacji zródeł.31Metoda potencjałówwęzłowych.11wady.14zalety.14Modelcewki.115ferromagnetyka.118klucza.116kondensatora.114opornika.112 Indeks 225rdzenia magnetycznego.116szumowy elementu.137tranzystora bipolarnego.139tranzystora GaAs.159, 160tranzystora JFET.156tranzystora polowego MOS.166, 174, 184Model Baum-a, Beneking-a.180Model Shichman-a Hodges-a.166Model szumowy elementu.63Modele elementówmałosygnałowe.46szumowe.63Modulacja długości kanału tranzystora MOSmodel Baum-a Beneking-a.180Nieliniowe zródła sterowane napięciemSEM.89SPM.89Nieliniowe zródła sterowane prądemSEM.89SPM.89Nieliniowy rdzeń magnetyczny.116deklaracja.117model materiału rdzenia.118obliczanie parametrów materiału rdzenia.123parametry.117Niezalez�ne z�ródło napie�cia.3, 9, 46, 73Niezależne zródło prądu.9, 46, 73OFF.128Opornikdeklaracja.6ge�stos widmowa szumów.64�c�model (temperaturowy).113Podobwóddeklaracja.68wywołanie.68zakończenie definicji struktury.68Pojemnośćdyfuzyjna.132, 144, 146, 151zła�czowa.132, 143, 145, 146, 152, 157, 159, 173Pojemność złączowa.171POLY.89Potencjał Fermiego.169Potencjał termiczny.134Potencjał złączowy.136, 149, 159, 172 226 IndeksPrawdopodobieństwo.103Probe.22, 69, 70Przerwa energetyczna.136, 147, 150, 159, 160, 169Przyrostki.11PULSE.73PWL.77Równanie Hamiltona.103SFFM.77SIN.74Stała Plancka.103Statyczny punkt pracy.19Statyczny punkt pracy układu.4Szum.62diody.137opornika.63tranzystora bipolarnego.154tranzystora GaAs.164tranzystora JFET.164tranzystora MOS.192Temperatura odniesienia.135Temperatura otoczenia analizowanego układu.135TNOM.6, 135Transmitancjastałoprądowa.33Tranzystor bipolarny.48charakterystyka statyczna.139czas przelotu.144częstotliwość graniczna.153deklaracja.138dynamika.143model hybryd �.150model ładunkowy Gummela-Poona.139parametry.49, 141, 148parametry małosygnałowe.152podział pojemności złącza baza-kolektor.146pojemność baza-emiter.143pojemność baza-kolektor.145pojemność kolektor-podłoże.146prąd upływu złącza.141rezystancja obszaru bazy.142rezystancje omowe.142zależności temperaturowe.147Tranzystor polowy MOS.21deklaracja.165 Indeks 227model Dang-a.184model małosygnałowy.192model Meyer-a.174model pojemności Meyer-a.182model pojemności Ward-a.183, 188model Shichman-a Hodges-a.166model szumowy.192modulacja długości kanału.180parametry.165, 174, 184pojemności.170, 182, 183, 188wpływ degradacji ruchliwos �ników ładunku.178�ci noswpływ szerokości kanału na napięcie Vto.181współczynnik modulacji długości kanału.179, 188Tranzystor polowy, złączowydeklaracja.156model małosygnałowy.163model Shichman-a Hodges-a.156model szumowy.164parametry.155Tranzystor polowy, złączowy GaAsdeklaracja.156model Curtice-a.160model małosygnałowy.163model Raytheon-a.160model szumowy.164parametry.160TRTOL.85Tytuł analizy.3, 5UIC.72, 84, 101Wektor magnetyzacji.119Wektor namagnesowania.119Węzeł masy.3Wrażliwości.36Współczynnik zniekształceń nieliniowych.94Współczynnik zwielokrotnienia przyrządu.127, 148, 149Względny ładunek bazy.140Wzmacniacz oporowy.48Wzmocnienie napięciowe.49Zjawisko Early-ego.140Zmodyfikowana metoda potencjałówwęzłowych.15yródła niezależneSEM.9, 46, 73SPM.9, 46, 73yródła sterowane napięciem 228 IndeksSEM.9SPM.9yródła sterowane prądemSEM.10SPM.10
[ Pobierz całość w formacie PDF ]
